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全球首家上百萬進口晶振代理商

深圳市康華爾電子有限公司

國際進口晶振品牌首選康華爾

首頁 Silicon晶振

Si536有源晶振,536AB125M000DG,6G路由器晶振,Silicon差分振蕩器

Si536有源晶振,536AB125M000DG,6G路由器晶振,Silicon差分振蕩器Si536有源晶振,536AB125M000DG,6G路由器晶振,Silicon差分振蕩器

產品簡介

Si536有源晶振,536AB125M000DG,6G路由器晶振,Silicon差分振蕩器，尺寸7.00x5.00mm，頻率125MHZ，輸出邏輯為LVPECL，電壓3.3V，頻率穩定性20ppm，腳位6-SMD，XO時鐘晶體振蕩器（標準） ，OSC晶振，貼片差分晶振，有源晶體振蕩器，LVPECL輸出晶振，LVPECL差分晶振，差分晶體振蕩器，小體積差分晶振，六腳貼片差分晶振，低抖動差分晶振，低功耗差分晶振，低相位差分晶振，低電壓差分晶振，高質量差分晶振，路由器專用差分晶振，交換機差分晶振，網絡設備差分晶振，電信專用差分晶振，具有低功耗低抖動的特點，產品特別適用于10/40/100G數據中心，10G以太網交換機/路由器，光纖通道/SAS/存儲，企業服務器，網絡，電信等領域。

Si535/536 XO采用了Skyworks Solutions先進的DSPLL電路以在高速差分頻率下提供超低抖動時鐘。 不像傳統的XO，每個輸出需要不同的晶體頻率，Si535/536差分晶體振蕩器使用一個固定晶體來提供寬范圍的輸出頻率。這種基于IC的方法允許晶體諧振器提供卓越的頻率穩定性和可靠性。此外，DSPLL時鐘合成提供出色的電源噪聲抑制，簡化了任務在高噪聲環境中產生低抖動時鐘，常見于通信系統。基于Si535/536 IC的XO是工廠編程，因此消除了與定制振蕩器。Si536有源晶振,536AB125M000DG,6G路由器晶振,Silicon差分振蕩器.



產品詳情

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Si536有源晶振,536AB125M000DG,6G路由器晶振,Silicon差分振蕩器，尺寸7.00x5.00mm，頻率125MHZ，輸出邏輯為LVPECL，電壓3.3V，頻率穩定性20ppm，腳位6-SMD，XO時鐘晶體振蕩器（標準） ，OSC晶振，貼片差分晶振，有源晶體振蕩器，LVPECL輸出晶振，LVPECL差分晶振，差分晶體振蕩器，小體積差分晶振，六腳貼片差分晶振，低抖動差分晶振，低功耗差分晶振，低相位差分晶振，低電壓差分晶振，高質量差分晶振，路由器專用差分晶振，交換機差分晶振，網絡設備差分晶振，電信專用差分晶振，具有低功耗低抖動的特點，產品特別適用于10/40/100G數據中心，10G以太網交換機/路由器，光纖通道/SAS/存儲，企業服務器，網絡，電信等領域。

Si535/536 XO采用了Skyworks Solutions先進的DSPLL電路以在高速差分頻率下提供超低抖動時鐘。 不像傳統的XO，每個輸出需要不同的晶體頻率，Si535/536差分晶體振蕩器使用一個固定晶體來提供寬范圍的輸出頻率。這種基于IC的方法允許晶體諧振器提供卓越的頻率穩定性和可靠性。此外，DSPLL時鐘合成提供出色的電源噪聲抑制，簡化了任務在高噪聲環境中產生低抖動時鐘，常見于通信系統。基于Si535/536 IC的XO是工廠編程，因此消除了與定制振蕩器。Si536有源晶振,536AB125M000DG,6G路由器晶振,Silicon差分振蕩器.

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Si536有源晶振,536AB125M000DG,6G路由器晶振,Silicon差分振蕩器參數表

Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Supply Voltage1 VDD 3.3 V option 2.97 3.3 3.63 V
2.5 V option 2.25 2.5 2.75 V
Supply Current IDD Output enabled
LVPECL
LVDS 		—
— 		111
90 		121
98 		mA
Tristate mode — 60 75 mA
Output Enable (OE)2 VIH 0.75 x VDD — — V
VIL — — 0.5 V
Operating Temperature Range TA –40 — 85 °C
Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Nominal Frequency1 fO LVPECL/LVDS 100 — 312.5 MHz
Initial Accuracy fi Measured at +25 °C at time of
shipping 		— ±1.5 — ppm
Temperature Stability1,2 –7
–20 		—
— 		+7
+20 		ppm
Aging fa Frequency drift over first year ±3 ppm
Frequency drift over 20 year
life 		— — ±10 ppm
Total Stability2 Temp stability = ±20 ppm — — ±31.5 ppm
Temp stability = ±7 ppm — — 20
Powerup Time3 tOSC TA= –40°C — +85°C 10 ms
Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
LVPECL Output Option1 VO Mid-level VDD– 1.42 — VDD– 1.25 V
VOD Swing (diff) 1.1 — 1.9 VPP
VSE Swing (Single-ended) 0.55 — 0.95 VPP
LVDS Output Option2 VO Mid-level 1.125 1.20 1.275 V
VOD Swing (diff) 0.5 0.7 0.9 VPP
Rise/Fall time (20/80%) tR,tF — — 350 ps
Symmetry (duty cycle) SYM Differential 45 — 55 %
3Si536有源晶振,536AB125M000DG,6G路由器晶振,Silicon差分振蕩器 尺寸圖Si535 Si536

OscillatorCrystal產品特性：

可從以下頻率中選擇

100MHz至312.5MHz

集成superior的第三代DSPLL

抖動性能和高功率

電源噪聲抑制

頻率穩定性比高3倍

基于SAW的振蕩器

LVPECL和 LVDS輸出

3.3和2.5 V電源選項

行業標準5x7毫米

封裝和引腳排列

無鉛/符合RoHS標準Si535 Si536 1

Si535 Si536 2更多相關美國Silicon晶振型號

Manufacturer Part Number原廠代碼 Manufacturer品牌 Series型號 Frequency 頻率 Voltage - Supply電壓 Frequency Stability頻率穩定度
530EC200M000DG Silicon振蕩器 Si530 200MHz 2.5V ±7ppm
531FC155M520DG Silicon振蕩器 Si531 155.52MHz 2.5V ±7ppm
531EC156M250DG Silicon振蕩器 Si531 156.25MHz 2.5V ±7ppm
530FC155M520DG Silicon振蕩器 Si530 155.52MHz 2.5V ±7ppm
530BC000110DG Silicon振蕩器 Si530 148.35165MHz 3.3V ±7ppm
530FC148M500DG Silicon振蕩器 Si530 148.5MHz 2.5V ±7ppm
536AB125M000DG Silicon振蕩器 Si536 125MHz 3.3V ±20ppm
535EB125M000DG Silicon振蕩器 Si535 125MHz 2.5V ±20ppm
536EB125M000DG Silicon振蕩器 Si536 125MHz 2.5V ±20ppm
535BB125M000DG Silicon振蕩器 Si535 125MHz 3.3V ±20ppm
535BB156M250DG Silicon振蕩器 Si535 156.25MHz 3.3V ±20ppm
535FB156M250DG Silicon振蕩器 Si535 156.25MHz 2.5V ±20ppm
530EC312M500DG Silicon振蕩器 Si530 312.5MHz 2.5V ±7ppm
530BC250M000DG Silicon振蕩器 Si530 250MHz 3.3V ±7ppm
530EC311M040DG Silicon振蕩器 Si530 311.04MHz 2.5V ±7ppm
530FC311M040DG Silicon振蕩器 Si530 311.04MHz 2.5V ±7ppm
530FC622M080DG Silicon振蕩器 Si530 622.08MHz 2.5V ±7ppm
531AC311M040DG Silicon振蕩器 Si531 311.04MHz 3.3V ±7ppm
531BC311M040DG Silicon振蕩器 Si531 311.04MHz 3.3V ±7ppm
531EC311M040DG Silicon振蕩器 Si531 311.04MHz 2.5V ±7ppm
531EC622M080DG Silicon振蕩器 Si531 622.08MHz 2.5V ±7ppm
531FC622M080DG Silicon振蕩器 Si531 622.08MHz 2.5V ±7ppm
531FC311M040DG Silicon振蕩器 Si531 311.04MHz 2.5V ±7ppm
530BC311M040DG Silicon振蕩器 Si530 311.04MHz 3.3V ±7ppm
531BC622M080DG Silicon振蕩器 Si531 622.08MHz 3.3V ±7ppm
531FC312M500DG Silicon振蕩器 Si531 312.5MHz 2.5V ±7ppm
530EC622M080DG Silicon振蕩器 Si530 622.08MHz 2.5V ±7ppm
531EC312M500DG Silicon振蕩器 Si531 312.5MHz 2.5V ±7ppm
530BC622M080DG Silicon振蕩器 Si530 622.08MHz 3.3V ±7ppm
531AC250M000DG Silicon振蕩器 Si531 250MHz 3.3V ±7ppm
530AC311M040DG Silicon振蕩器 Si530 311.04MHz 3.3V ±7ppm
530FC312M500DG Silicon振蕩器 Si530 312.5MHz 2.5V ±7ppm
531EC250M000DG Silicon振蕩器 Si531 250MHz 2.5V ±7ppm
530AC312M500DG Silicon振蕩器 Si530 312.5MHz 3.3V ±7ppm
530EC250M000DG Silicon振蕩器 Si530 250MHz 2.5V ±7ppm
530AC250M000DG Silicon振蕩器 Si530 250MHz 3.3V ±7ppm
530FC250M000DG Silicon振蕩器 Si530 250MHz 2.5V ±7ppm
530BC312M500DG Silicon振蕩器 Si530 312.5MHz 3.3V ±7ppm
531BC312M500DG Silicon Crystal Si531 312.5MHz 3.3V ±7ppm
530FC50M0000DG Silicon振蕩器 Si530 50MHz 2.5V ±7ppm
535AB125M000DG Silicon振蕩器 Si535 125MHz 3.3V ±20ppm
501AAA27M0000DAF Silicon振蕩器 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA27M0000DAG Silicon振蕩器 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501JCA100M000CAG Silicon振蕩器 Si501 100MHz 3.3V ±20ppm
501JCA100M000BAG Silicon振蕩器 Si501 100MHz 3.3V ±20ppm
501HCAM032768BAF Silicon振蕩器 Si501 32.768kHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501BCAM032768DAG Silicon振蕩器 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501JCAM032768DAG Silicon振蕩器 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
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