希華科技藉由臺灣、日本、大陸三地的產品設計開發與制程資源整合，不斷開發創新及制程改造，以全系列完整產品線，來滿足客戶對石英元件多樣化的需求。積極地透過產學合作與配合國外技術引進開發新產品，多角化經營、擴大市場領域，此亦為公司得以永續經營的方針。

敏銳地掌握電子產品輕薄短小化、快速光電寬頻傳輸與高頻通訊的發展主流，致力于開發小型化、高頻與光電領域等產品，與日本同業并駕齊驅。且深耕微機電(MEMS)技術領域，加速導入小體積貼片晶振的量產，藉以擴大公司營收規模并且提升獲利空間。

SIWARD晶振,貼片晶振,SX-5032晶振,低頻晶振可從8MHz起對應,小型,超薄型具備強防焊裂性,石英晶體在極端嚴酷的環境條件下也能發揮穩定的起振特性,產品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優良的耐環境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準.

晶振的真空封裝技術：是指壓電石英晶振在真空封裝區域內進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生；2.使晶振組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一

以下是石英晶振電路設計匹配問題：

一般來說，微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：

鎘和CG是外部負載電容，其中已建成的芯片組。 （請參閱芯片組的規格）

Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內置芯片一般設置。

Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個阻力是沒有必要的公共電路，但僅用于具有高電源電路。

一個穩定的石英晶體振蕩器電路需要的負電阻，其值應是晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。

例如，為了獲得穩定的振蕩電路中，IC的負電阻的值必須小于？200Ω時的晶振電阻值是40Ω。負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質量。在某些情況下，例如老化，熱變化，電壓變化，以及等等，電路可能不會產生振蕩的“Q”值是低的。因此，這是非常重要的衡量負電阻（-R）以下說明：

線路連接的電阻（R）與晶體串聯

（2）從起點到振蕩的停止點調整R的值。

（3）振蕩期間測量R的值。

（4）你將能夠獲得負電阻的值，|•R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。

附：所連接的電路的雜散電容，可能會影響測定值。SIWARD晶振,貼片晶振,SX-5032晶振